Αν μιλάς για Bipolar Transistor τότε:
* Για τη καμπύλη Ic - Vce: μπορείς να μεταβάλλεις το Ic (αυτό θα το κάνεις μεταβάλλοντας τη τάση Vcc) και θα μετράς τη Vce (Αν το κάνεις πειραματικά το βολτόμετρο δε πρέπει να το βάζεις στα άκρα C και E γιατί θα βραχυκυκλώσεις την Re αλλά θα πρέπει να μετρήσεις τη Vc και Ve ως προς τη γείωση και να τις αφαιρέσεις). Με καμιά 4-5 μετρήσεις (δε χρειάζονται παραπάνω) θα παρατηρήσεις ότι έχεις μια απότομη αύξηση και μετά σταθεροποίηση του ρεύματος συλλέκτη. Αυτό συμβαίνει γιατί ο συλλέκτης ρουφάει (σχεδόν) όλα τα ηλεκτρόνια που στέλνει ο εκπομπός στη βάση, άρα δε μπορεί να αυξηθεί και άλλο το ρεύμα του συλλέκτη. Φρόντισε να πάρεις τουλάχιστο 2 μετρήσεις στη περιοχή του κόρου (δηλ. Vcc μερικά μόλις δέκατα του Volt) ώστε να έχεις μια καλή καμπύλη. Τα ζεύγη αυτά τα βάζεις όπου θες (excel, matlab κτλ) και θα πρέπει να σου δώσει μια αρκετά ικανοποιητική απάντηση. Τις μετρήσεις μπορείς να τις κάνεις είτε με το multisim, είτε με το χέρι κάνοντας πράξεις στο κύκλωμα.
* Για τη καμπύλη Ιb - Vbe: Αυτή ουσιαστικά είναι μια Ι-V διόδου, οπότε θα πάρεις τη κλασική γραφική παράσταση. Απλά βάλε στο excel να σου σχεδιάσει μια παραβολή
* Για τη καμπύλη hfe - Ic: Αυτό είναι πολύ δύσκολο να το κατασκευάσεις μόνος σου γιατί το hfe (ή β) εξαρτάται και από το Ic και από τη θερμοκρασία, οπότε θα προκύψει ένα set καμπυλών (συνήθως η καμπύλη αυτή δίνεται στις προδιαγραφές του τρανζίστορ). Εαν ζητείται στην άσκηση τότε μπορείς να παίξεις είτε με το Ic είτε με το Ib (μεταβάλλοντας αντίστοιχα τις Rc,Rb) και να βρίσκεις το λόγο τους δηλ. το hfe.
Έτσι πρέπει να βγούνε:
http://www.st-andrews.ac.uk/~www_pa/Sco ... bpcur.htmlΔε ξέρω αν βοήθησα γιατί δε παρακολουθώ το μάθημα, σου μιλάω με γνώσεις που έχω από ηλεκτρονική 1. Γενικά δε νομίζω να υπάρχει τρόπος να βρεις τις καμπύλες χωρίς διαδοχικές μετρήσεις